اثر کشش بر رسانش و نوفه ی شلیکی نانونوارهای گرافینی

گرافین تک لایه ای از اتم کربن با ساختار شبکه ای لانه زنبوری است که دارای ساختار نواری شبه نسبیتی می باشد. به همین علت ترابرد کوانتومی الکترون ها در ساختارهای گرافینی با رساناهای معمولی به طور اساسی متفاوت است. در اتصالات بالستیک گرافینی با پهنای بزرگ رسانش و ضریب فانو در نقطه ی خنثایی بار، مستقل از نوع لبه ها، به ترتیب به مقادیر جهانی 4e^2/pi h و 1/3 ‎ می رسند.‎ به تازگی اثر کشش در گرافین توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در گرافین کشیده شده یک میدان شبه مغناطیسی ظاهر می شود که ترابرد الکگترونی را تحت تأثیر قرار می دهد. ما در این پایان نامه اثر کشش را بر عبور الکترونهااز یک نانونوار گرافینی بررسی می کنیم. محاسبات ما نشان می دهد که برای نانونوار گرافینی با لبه های نرم کشش موجب افزایش رسانش و کاهش ضریب فانو می شود و برای نانونوار گرافینی با لبه های صندلی شکل فلزی، کشش موجب کاهش رسانش و افزایش ضریب فانو می شود. از نتایج ما مشهود است که به ازای برخی پهناهای خاص از نانونوار گرافینی، حالت های تشدیدی در سیستم ایجاد می شود که ترابرد الکترونی را در نوارهای باریک تحت تأثیر قرار می دهد. ما همچنین دریافتیم که کشش و فشردگی اثر یکسانی بر رسانش و نوفه ی شلیکی دارند. کشش هیچ تأثیری بر نانونوارهای گرافینی پهن ندارد و رسانش و ضریب فانو به مقادیر جهانی خود نزدیک می شوند.